NPM

Андозаи маҳсулот (мм)

Омили ислоҳи басомад

Силсилаи YMIN NPM: Аз нав муайян кардани маҳдудиятҳои иҷрои конденсаторҳо барои дастгоҳҳои электронии баландсифат

Дар соҳаҳои баландсифат ба монанди алоқаи 5G, аэрокосмикӣ ва электроникаи тиббӣ, давомнокӣ ва устувории конденсаторҳои анъанавии электролитӣ ба монеаҳои система табдил ёфтанд. Силсилаи NPM-и YMIN аз конденсаторҳои гузаронандаи полимерии алюминийи сахти электролитикӣ, ки диаметри хурдтарин дар ҷаҳон 3,55 мм, диапазони ҳарорати кории дараҷаи ҳарбӣ аз -55 ° C то 105 ° C ва ESR ултра паст дар 100 кГц, меъёри навро барои тарҳҳои электронии насли баланд зичии баланд муқаррар мекунад.

I. Пешрафтҳои вайронкунандаи технологӣ

1. Технологияи полимерии ноқилӣ
• Иҷрои инқилобии баландбасомад:

Бо истифода аз полимерҳои наномикёси ноқилӣ барои иваз кардани электролитҳои анъанавӣ, конденсаторҳо ESR-ро то 0,015 Ом дар 100 кГц (модели 6,3 В/270 мкФ) ба даст меоранд ва масрафи энергияро дар муқоиса бо конденсаторҳои электролитии моеъ 80% кам мекунанд. Иқтидори азхудкунии ҷараёнҳои мавҷи баландбасомад панҷ маротиба зиёд шуда, мушкилоти хумро ҳангоми иваз кардани манбаъҳои барқ ​​​​ комилан бартараф мекунад.

• Механизми бехатарии худтабобаткунӣ:

Дар сурати аз ҳад зиёд шиддат, занҷирҳои молекулавии полимерӣ аз нав ташкил шуда, қабати худшифокунандаро ташкил медиҳанд ва хатари таркишро, ки дар натиҷаи тамомшавии электролитҳои конденсатори моеъ ба вуҷуд омадааст, кам мекунад. Мувофиқи стандартҳои IEC 60384-24 санҷида шудааст, суръати нокомии кӯтоҳ аз 0,001ppm камтар аст.

2. Мутобиқшавӣ ба муҳити шадид

• Диапазони васеъи ҳарорат, стандарти ҳарбӣ:

Тағйирёбии муқовимат дар оғози ҳарорати паст -55°C ≤7,2x (миёнаи саноат 15х) ва таназзули иқтидор пас аз пиршавии босуръат дар 105°C барои 2000 соат ≤8% аст. • Сохтори муҳофизати дукарата:

• Раванди кӯзаи чангкашак ба муҳити намии баланд то 98% RH (афзоиши ESR пас аз санҷиши 60°C/1000 соат ≤ 35%) тоб меорад.

• Қабати гармидиҳандаи таркибии қабати алюминийи қабати полимерӣ гузарониши гармиро то 8,3 Вт/мК беҳтар мекунад.

3. Миниатюризатсияи рекордӣ

• Таносуби хурдтарин дар ҷаҳон 3,55×11 мм:

Ба даст овардани зарфияти 220μF (6.3V) дар доираи Φ3.55мм, сарфа кардани 78% ҷой дар муқоиса бо бастаҳои анъанавии SMD. Пинҳо сими миси 0,4 мм ултра борикро истифода мебаранд, ки аз санҷиши зарбаи механикии 20G (MIL-STD-883H) мегузаранд.

• Раванди stacking 3D:

Фолгаи алюминии анодшуда бо технологияи нано-этинг коркард карда мешавад, ки дар натиҷа майдони самараноки сатҳи 120 м² / г, зичии зарфиятро дар муқоиса бо равандҳои анъанавӣ 300% зиёд мекунад.

II. Таҳлили параметрҳои асосии техникӣ

1. Модели талафоти басомади баланд

P_{талаф} = I_{rms}^2 × ESR_{100kHz} + (2πfC)^2 × ESL^2

Вақте ки f> 100kHz, таъсири ESL то 1/6 аз конденсаторҳои анъанавӣ кам мешавад. Гирифтани модели 50V/22μF ҳамчун мисол:
• 98,3% нигоҳдории иқтидори самаранок дар 500kHz

• Иқтидори интиқоли ҷараёни Ripple аз стандарти саноат 2,8 маротиба зиёдтар аст

2. Матритсаи мутобиқшавӣ ба муҳити зист
Шароитҳои стресс Стандартҳои санҷиши NPM Performance Industry Average

Давраи ҳарорат (-55°C то 105°C) MIL-STD-202G ΔC/C ≤ ±5% ±15%

Ларзиши механикӣ (10-2000Гц) GJB150.16A Ҷойивазкунии нуқтаи резонансӣ <0,1мм 0,3мм

Коррозияи пошидани намак (96h) IEC 60068-2-11 Майдони зангзании сурб <2% 8%

3. Модели суръатбахшии ҳаёт

Дар асоси қонуни Аррениус гирифта шудааст:

L_{воқеӣ} = L_{озмоиш} × 2^{(T_{озмоиш} - T_{воқеӣ})/10}

Санҷиши 105°C/2000с мӯҳлати муодили 128,000 соат (≈15 сол) дар 25°C медиҳад.

Чаро силсилаи NPM-ро интихоб кунед?

Вақте ки тарҳи шумо рӯ ба рӯ мешавад:

✅ Гиряи конденсатор дар занҷирҳои басомади баланд
✅ Нокомии система дар натиҷаи фарқиятҳои шадиди ҳарорат
✅ Миниатюризатсия ва эътимоднокии баландро дар як вақт ба даст овардан мумкин нест
✅ Бе нигоҳдории зиёда аз даҳ сол кор кардан лозим аст

Силсилаи YMIN NPM, бо эътимоднокии дараҷаи ҳарбӣ, миниатюризатсияи рекордӣ ва мутобиқшавии ултра-васеъи ҳарорат, як санги асосии тарҳи электронии баландсифат гардид. Пешниҳоди фарогирии пурраи шиддат аз 6.3V/270μF то 100V/4.7μF, дастгирӣ мекунад:

• Мутобиқсозии параметр (дақиқии иқтидори ±5%)

• Аз нав конфигуратсияи бастаҳо (интегратсияи гетерогении stacking 3D)

• Санҷиши муштарак (санҷиши мутобиқшавӣ ба муҳити зист)