Дар солҳои охир, рушди босуръати соҳаҳои нави энергетика, аз қабили нигоҳдории фотоэлектрикӣ ва мошинҳои барқӣ (EVs) боиси якбора афзудани талабот ба конденсаторҳои DC-Link гардид. Хулоса, конденсаторҳои DC-Link дар схема нақши муҳим доранд. Онҳо метавонанд ҷараёнҳои баланди импулсро дар охири автобус ҷабб кунанд ва шиддати автобусро ҳамвор созанд ва кафолат медиҳанд, ки коммутаторҳои IGBT ва SiC MOSFET аз таъсири манфии ҷараёнҳои баланди импулс ва шиддатҳои муваққатӣ ҳангоми кор муҳофизат карда шаванд.
Баробари аз 400 В то 800 В зиёд шудани шиддати автобуси мошинхои нави энергетики талабот ба конденсаторхои плёнка хеле афзуд. Тибқи маълумот, иқтидори насбшудаи инвертерҳои гардонандаи барқӣ дар асоси конденсаторҳои тунуки DC-Link дар соли 2022 ба 5,1117 миллион комплект расид, ки 88,7% иқтидори насбшудаи назорати барқро ташкил медиҳад. Инвертерҳои гардонандаи бисёр ширкатҳои пешбари назорати барқ, ба монанди Tesla ва Nidec ҳама конденсаторҳои филми DC-Link -ро истифода мебаранд, ки 82,9% иқтидори насбшударо ташкил медиҳанд ва дар бозори дискҳои барқӣ интихоби асосӣ шудаанд.
Ҳуҷҷатҳои тадқиқотӣ нишон медиҳанд, ки дар инвертерҳои нимпули кремнийи IGBT конденсаторҳои анъанавии электролитикӣ одатан дар истиноди DC истифода мешаванд, аммо афзоиши шиддат аз сабаби ESR баланди конденсаторҳои электролитӣ ба амал меояд. Дар муқоиса бо маҳлулҳои IGBT дар асоси кремний, SiC MOSFETҳо басомади баландтари коммутатсионӣ доранд, аз ин рӯ амплитудаи шиддати шиддат дар пайванди доимии инвертерҳои нимпул баландтар аст, ки метавонад боиси таназзули кори дастгоҳ ё ҳатто осеб гардад ва басомади резонанси конденсаторҳои электролитикӣ ҳамагӣ 4 кГц аст, ки барои азхудкунии ripinverters MOSFET-и ҷорӣ кофӣ нест.
Аз ин рӯ, дар барномаҳои доимии доимӣ, ба монанди инвертерҳои гардонандаи барқ ва инвертерҳои фотоэлектрикӣ бо талаботи баландтари эътимод,конденсаторхои плёнкаодатан интихоб карда мешаванд. Дар муқоиса бо конденсаторҳои электролитикии алюминий, бартариҳои кори онҳо муқовимати баландтари шиддат, пасти ESR, ғайриқутбӣ, иҷрои устувортар ва умри дарозтар мебошанд, ба ин васила ба муқовимати қавитари мавҷҳо ва тарҳи боэътимоди система ноил мешаванд.
Системаҳое, ки конденсаторҳои борикро истифода мебаранд, метавонанд аз басомади баланд ва кам талафоти SiC MOSFETs истифода баранд ва андоза ва вазни ҷузъҳои пассивиро кам кунанд. Тадқиқоти Wolfspeed нишон медиҳад, ки инвертери IGBT-и кремнийи 10 кВт 22 конденсатори электролитии алюминийро талаб мекунад, дар ҳоле ки инвертерҳои 40 кВт SiC танҳо 8 конденсаторҳои тунукро талаб мекунанд ва майдони PCB низ хеле кам карда мешавад.
Дар посух ба талаботи бозор, YMIN Electronics -ро оғоз кардСилсилаи MDP конденсаторҳои филм, ки технологияи пешрафта ва маводи баландсифатро барои мутобиқ шудан ба SiC MOSFET ва IGBT дар асоси кремний истифода мебаранд. Конденсаторҳои силсилаи MDP дорои ESR-и паст, шиддати баланд, ҷараёни пасти ихроҷ ва устувории ҳарорати баланд мебошанд.
Афзалиятҳои маҳсулоти конденсатори филми YMIN Electronics:
Тарҳи конденсатори филми YMIN Electronics консепсияи пасти ESR-ро барои коҳиш додани фишори шиддат ва талафоти энергия ҳангоми гузариш ва беҳтар кардани самаранокии энергияи система қабул мекунад. Он дорои шиддати баланд, ба муҳити шиддати баланд мутобиқ мешавад ва устувории системаро таъмин мекунад.
Конденсаторҳои силсилаи MDP дорои иқтидори 1uF-500uF ва диапазони шиддат аз 500В то 1500В мебошанд. Онҳо ҷараёни камтари ихроҷ ва устувории ҳарорати баланд доранд. Тавассути маводҳои баландсифат ва равандҳои пешрафта, сохтори гармидиҳии муассир барои таъмини кори устувор дар ҳарорати баланд, дароз кардани мӯҳлати хидмат ва дастгирии боэътимоди системаҳои электронии барқ пешбинӣ шудааст. Дар баробари ин, баКонденсаторҳои силсилаи MDPҳаҷмашон зич доранд, зичии баланд доранд ва равандҳои инноватсионии истеҳсоли филми тунукро барои беҳтар кардани ҳамгироӣ ва самаранокии система, кам кардани андоза ва вазн ва баланд бардоштани қобилияти интиқол ва чандирии таҷҳизот истифода мебаранд.
Силсилаи конденсаторҳои филми YMIN Electronics DC-Link 30% таҳаммулпазирии dv/dt ва 30% зиёд шудани мӯҳлати хидматро дорад, ки эътимоднокии схемаҳои SiC/IGBT-ро беҳтар мекунад, самаранокии беҳтари хароҷотро меорад ва мушкилоти нархро ҳал мекунад.
Вақти фиристодан: январ-10-2025